Добавить к сравнению Сравнить ()

STP12NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 0.30 Ом, 12А [TO-220AB]

Артикул: STP12NM50
Ном. номер: 9000187573
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STP12NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 0.30 Ом, 12А [TO-220AB]
Фото 2/3 STP12NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 0.30 Ом, 12А [TO-220AB]Фото 3/3 STP12NM50, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 0.30 Ом, 12А [TO-220AB]
Есть в наличии 11 шт. Отгрузка со склада в Москве 3 рабочих дня.
90 × = 90
от 25 шт. — 67 руб.
от 250 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах Есть аналоги

Описание

The STP12NM50 is a 500V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.

• High dv/dt and avalanche capabilities
• Low input capacitance and gate charge
• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance
• Tight process control and high manufacturing yields

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
350
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус

Техническая документация

...12NM50
pdf, 535 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STP12NM50
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов