STP21NM60ND, MOSFET N-Channel 600V 17A

PartNumber: STP21NM60ND
Ном. номер: 8033245438
Производитель: ST Microelectronics
STP21NM60ND, MOSFET N-Channel 600V 17A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
380 × = 380
от 10 шт. — 210 руб.
от 20 шт. — 176.50 руб.

Описание

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 600V 17A TO220

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Размеры
10.4 x 4.6 x 15.75мм
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.22 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
600 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
60 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1800 пФ при 50 В
Типичное время задержки выключения
70 нс
Типичное время задержки включения
18 ns
Ширина
4.6mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
15.75mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

N-channel 600 V, 0.17 Ohm, 17 A ...