STP34NM60ND, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 29 А, 600 В, 0.097 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: STP34NM60ND
Ном. номер: 8050906032
Производитель: ST Microelectronics
STP34NM60ND, Силовой МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 44 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
780 × = 780
от 25 шт. — 645 руб.

Описание

The STP34NM60ND is a FDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This FDmesh™ V Power MOSFET produced using ST's MDmesh™ V technology, which is based on an innovative proprietary vertical structure. The resulting product boasts an extremely low ON-resistance that is unrivalled among silicon-based Power MOSFET and superior switching performance with intrinsic fast-recovery body diode.

• The worldwide best RDS (ON) area amongst the fast recovery diode device
• Low gate input resistance
• Extremely high dV/dt and avalanche capabilities

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2098318

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
29А
Напряжение Истока-стока Vds
600В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.097Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
210Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet STP34NM60ND