STP7N60M2, MOSFET N-Ch 600V 5A MDmes

PartNumber: STP7N60M2
Ном. номер: 8022047021
Производитель: ST Microelectronics
STP7N60M2, MOSFET N-Ch 600V 5A MDmes
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
160 × = 800
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 93 руб.

Описание

N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
STMicroelectronics STP7N60M2 N-channel MOSFET Transistor, 5 A, 650 V, 3-pin TO-220

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10.4 x 4.6 x 15.75mm
высота
15.75mm
длина
10.4mm
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Resistance
0.95 Ω
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
60 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
8.8 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
271 pF@ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time
19.3 ns
Typical Turn-On Delay Time
7.6 ns
ширина
4.6mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

ST*7N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET