STP80N10F7, MOSFET 100V 0.010 OHM

PartNumber: STP80N10F7
Ном. номер: 8084243939
Производитель: ST Microelectronics
STP80N10F7, MOSFET 100V 0.010 OHM
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
160 × = 800
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 25 шт. — 96 руб.

Описание

N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
STMicroelectronics STP80N10F7 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 100 V, 3-pin TO-220

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
Dimensions
10.4 x 15.75 x 4.6mm
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Resistance
0.010 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
110 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Number of Elements per Chip
1
Package Type
TO-220
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
45 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
3100 pF@ 50 V
Typical Turn-Off Delay Time
36 ns
Typical Turn-On Delay Time
19 ns
Width
15.75mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
высота
4.6mm
длина
10.4mm
тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

STD80N10F7, STF80N10F7, STH80N10F7-2 ...