STQ1HNK60R-AP, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 400 мА, 600 В, 8 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: STQ1HNK60R-AP
Ном. номер: 8042803917
Производитель: ST Microelectronics
STQ1HNK60R-AP, Силовой МОП-транзистор ...
Доступно на заказ 1080 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
37 × = 37
от 25 шт. — 31 руб.
от 100 шт. — 28 руб.

Описание

The STQ1HNK60R-AP is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

• Extremely high dV/dt capability
• Improved ESD capability
• New high voltage benchmark

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1752178

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
400мА
Напряжение Истока-стока Vds
600В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
8Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
3Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-92
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet STQ1HNK60R-AP