STW18NM80, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 17 А, 800 В, 0.25 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: STW18NM80
Ном. номер: 8084555517
Производитель: ST Microelectronics
STW18NM80, Силовой МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 9 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
530 × = 530

Описание

The STW18NM80 is a MDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. This device offers extremely low ON-resistance, high dV/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, this Power MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.

• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2098377

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
17А
Напряжение Истока-стока Vds
800В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.25Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
190Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet STW18NM80