STW21NM60ND, Транзистор N-MOSFET 600В 17А [TO-247-3]
![Фото 1/2 STW21NM60ND, Транзистор N-MOSFET 600В 17А [TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва
2 810 руб.
от 3 шт. —
2 610 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 810 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор полевой STW21NM60ND от STMicroelectronics представляет собой высокопроизводительный N-MOSFET компонент, идеально подходящий для самых разных применений в силовой электронике. Монтируемый с помощью традиционной сквозной технологии THT, этот транзистор обеспечивает ток стока до 10 А и может выдерживать напряжение сток-исток до 600 В, что делает его подходящим для работы с высокими напряжениями. С мощностью 140 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,17 Ом, STW21NM60ND является отличным выбором для повышения эффективности вашей схемы. Корпус типа TO247 удобен для монтажа и обеспечивает надежную работу устройства даже в условиях высокого энергопотребления. Используйте STW21NM60ND для создания мощных и надежных электронных конструкций. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 10 |
| Напряжение сток-исток, В | 600 |
| Мощность, Вт | 140 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.17 |
| Корпус | TO247 |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 50V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Series | FDmeshв(ў II |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 7.5 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
