Добавить к сравнению Сравнить ()

STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом, 20А [TO-247]

Артикул: STW26NM60N
Ном. номер: 9000187562
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом, 20А [TO-247]
Фото 2/3 STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом, 20А [TO-247]Фото 3/3 STW26NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600В, 0.135Ом, 20А [TO-247]
Есть в наличии более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
150 × = 150
от 25 шт. — 130 руб.
от 30 шт. — 120 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The STW26NM60N is a 600V N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company's strip layout to yield one of the world's lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.

• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Корпус

Техническая документация

...26NM60N
pdf, 1160 КБ

Дополнительная информация

Datasheet STW26NM60N
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов