STW26NM60ND, MOSFET N-Ch 600V 21A FDme

PartNumber: STW26NM60ND
Ном. номер: 8055828921
Производитель: ST Microelectronics
STW26NM60ND, MOSFET N-Ch 600V 21A FDme
Доступно на заказ более 8 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
570 × = 1 140
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 24 шт. — 420 руб.

Описание

N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
STMicroelectronics STW26NM60ND N-channel MOSFET Transistor, 21 A, 650 V, 3-pin TO-247

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
15.75 x 5.15 x 20.15mm
высота
20.15mm
длина
15.75mm
Maximum Continuous Drain Current
21 A
Maximum Drain Source Resistance
0.175 Ω
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
190 W
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-247
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
54.6 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
1817 pF@ 100 V
Typical Turn-Off Delay Time
69 ns
Typical Turn-On Delay Time
22 ns
ширина
5.15mm
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V

Дополнительная информация

STB26NM60ND, STF26NM60ND, STP26NM60ND ...