STW30N65M5, MOSFET N-Channel 650V 22A

PartNumber: STW30N65M5
Ном. номер: 8022349931
Производитель: ST Microelectronics
STW30N65M5, MOSFET N-Channel 650V 22A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
490 × = 490
от 10 шт. — 290 руб.
от 20 шт. — 241.50 руб.

Описание

N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics
The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 650V 22A TO247

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Размеры
15.75 x 5.15 x 20.15мм
Максимальный непрерывный ток стока
22 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.139 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
140 Вт
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-247
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
64 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
2880 пФ при 100 В
Типичное время задержки выключения
50 ns
Ширина
5.15mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
20.15мм
Длина
15.75mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A ...