STW6N95K5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней
950 руб.
от 2 шт. —
830 руб.
от 5 шт. —
748 руб.
от 10 шт. —
702.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 950 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 950V, 9A, 150DEG C, 90W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:950V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Factory Pack Quantity | 600 |
| Id - Continuous Drain Current | 9 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 13 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.25 Ohms |
| RoHS | Details |
| Series | MDmesh K5 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 950 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.25 Ohms |
| Series: | STW6N95K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1Ом |
| Power Dissipation | 90Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 950В |
| Непрерывный Ток Стока | 9А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 90Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
