STY80NM60N, MOSFET N-Channel 600V 74A

PartNumber: STY80NM60N
Ном. номер: 8024852107
Производитель: ST Microelectronics
STY80NM60N, MOSFET N-Channel 600V 74A
Доступно на заказ более 3 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
1 520 × = 1 520

Описание

N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
STMicroelectronics STY80NM60N N-channel MOSFET Transistor, 74 A, 600 V, 3-pin Max247

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
15.9 x 5.3 x 20.3mm
высота
20.3mm
длина
15.9mm
Maximum Continuous Drain Current
74 A
Maximum Drain Source Resistance
0.035 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
447 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
Max247
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
360 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
10100 pF@ 50 V
Typical Turn-Off Delay Time
440 ns
Typical Turn-On Delay Time
50 ns
ширина
5.3mm
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V

Дополнительная информация

STY80NM60N N-channel 600 V, 0.030 Ω, 74 A ...