TC58NVG1S3EBAI5, NAND Flash 2Gbit 256Mx8bi

PartNumber: TC58NVG1S3EBAI5
Ном. номер: 8013563997
Производитель: Toshiba
TC58NVG1S3EBAI5, NAND Flash 2Gbit 256Mx8bi
Доступно на заказ более 7 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
650 × = 650
от 10 шт. — 400 руб.
от 90 шт. — 342 руб.

Описание

Flash Memory, Toshiba

Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.

Полупроводники / Память / Флэш-память /
NAND Flash 2Gbit 256Mx8bit 25ns TFBGA63

Технические параметры

Минимальная рабочая температура
-40 °C
Тип интерфейса
Parallel
Тип монтажа
Surface Mount
Объем памяти
2 GByte
Ширина
10mm
Число контактов
63
Количество слов
256M
Количество бит на слово
8
Максимальное рабочее напряжение питания
4.6 V
Размеры
13 x 10 x 0.74
Длина
13mm
Тип корпуса
TFBGA
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Высота
0.74mm
Организация
256M x 8
Блочная организация
Symmetrical
Максимальное время произвольного доступа
25ns
Тип ячейки
И-НЕ
Минимальное рабочее напряжение питания
-0.6 V

Дополнительная информация

Datasheet