TC58NVG2S3ETAI0, NAND Flash 4Gbit 512Mx8bi

PartNumber: TC58NVG2S3ETAI0
Ном. номер: 8006851613
Производитель: Toshiba
TC58NVG2S3ETAI0, NAND Flash 4Gbit 512Mx8bi
Доступно на заказ более 4 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
1 140 × = 1 140
от 10 шт. — 740 руб.

Описание

Flash Memory, Toshiba

Flash СППЗУ (EPROM)
FLASH memory is non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.

Полупроводники / Память / Флэш-память /
TC58NVG2S3ETAI0, Parallel NAND Flash Memory, 512M x 8 4 GByte, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 48-pin, TSOP

Технические параметры

Cell Type
NAND
размеры
18.4 x 12.4 x 1mm
высота
1mm
Тип интерфейса
Parallel
длина
18.4mm
максимальная рабочая температура
+85 °C
Maximum Random Access Time
25ns
размер памяти
4 GByte
Minimum Operating Temperature
-40 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Bits per Word
8Bit
Number of Words
512M
организационная схема
512M x 8
тип упаковки
TSOP
Pin Count
48
ширина
12.4mm
Minimum Operating Supply Voltage
-0.6 V
Maximum Operating Supply Voltage
4.6 V
Block Organisation
Symmetrical

Дополнительная информация

Datasheet