TF412ST5G, JFET NCH J-FET SOT-883
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт. —
67 руб.
от 100 шт. —
41 руб.
от 1000 шт. —
27.07 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Drain Gate On-Capacitance | 4pF |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | 1.2 to 3mA |
| Maximum Drain Gate Voltage | -30V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 100 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-883 |
| Pin Count | 3 |
| Source Gate On-Capacitance | 4pF |
| Transistor Configuration | Single |
| Width | 0.68mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet TF412ST5G
pdf, 303 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
