Добавить к сравнению Сравнить ()

TIP102, NPN составной (Дарлингтон) транзистор с шунтирующими резисторами, 80Вт

Артикул: TIP102
Ном. номер: 39636
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 TIP102, NPN составной (Дарлингтон) транзистор с шунтирующими резисторами, 80Вт
Фото 2/3 TIP102, NPN составной (Дарлингтон) транзистор с шунтирующими резисторами, 80ВтФото 3/3 TIP102, NPN составной (Дарлингтон) транзистор с шунтирующими резисторами, 80Вт
Есть в наличии более 200 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
24 × = 24
от 50 шт. — 19 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The TIP102 is a 100V Silicon Epitaxial Base NPN Complementary Power Transistor in monolithic Darlington configuration. It is intended for use in power linear and switching applications. Fast switching times and very low saturation voltage resulting in reduced switching and conduction losses.

• Complementary to the TIP107
• Integrated anti-parallel collector-emitter diode
• Well-controlled hFE parameter for increased reliability

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

TIP102 datasheet
pdf, 54 КБ

Дополнительная информация

Datasheet TIP102
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов