Добавить к сравнению Сравнить ()

TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э

Артикул: TIP112
Ном. номер: 968035326
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э
Фото 2/3 TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-эФото 3/3 TIP112, Составной (Дарлингтон) NPN транзистор, встроенный антипараллельный диод к-э
Есть в наличии 93 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
35 × = 35
от 20 шт. — 25 руб.
от 200 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The TIP112 is a NPN complementary silicon epitaxial-base Power Transistor with monolithic Darlington configuration mounted in a JEDEC plastic package. It is intended for use in medium power linear and switching applications.

• Integrated anti-parallel collector-emitter diode
• PNP complementary type is TIP117

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet TIP112
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов