TK39A60W,S4VX(M, MOSFET N-Ch 600V 38.8A DT

PartNumber: TK39A60W,S4VX(M
Ном. номер: 8012746575
Производитель: Toshiba
TK39A60W,S4VX(M, MOSFET N-Ch 600V 38.8A DT
Доступно на заказ более 8 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
600 × = 600
от 5 шт. — 340 руб.
от 10 шт. — 307 руб.

Описание

MOSFET DTMOS IV Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Toshiba TK39A60W,S4VX(M N-channel MOSFET Transistor, 38.8 A, 600 V, 3-pin TO-220SIS

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10 x 4.5 x 15mm
высота
15mm
длина
10mm
Maximum Continuous Drain Current
38.8 A
Maximum Drain Source Resistance
0.065 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
50 W
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220SIS
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
4100 pF@ 300 V
Typical Turn-Off Delay Time
200 ns
Typical Turn-On Delay Time
80 ns
ширина
4.5mm
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V

Дополнительная информация

TK39A60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)