TK5A60W,S4VX(M, MOSFET N-Ch 600V 5.4A DTM

PartNumber: TK5A60W,S4VX(M
Ном. номер: 8100306480
Производитель: Toshiba
TK5A60W,S4VX(M, MOSFET N-Ch 600V 5.4A DTM
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
93 × = 744
Количество товаров должно быть кратно 8 шт.

Описание

MOSFET DTMOS IV Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Toshiba TK5A60W,S4VX(M N-channel MOSFET Transistor, 5.4 A, 600 V, 3-pin TO-220SIS

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Single
размеры
10 x 4.5 x 15mm
высота
15mm
длина
10mm
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Maximum Drain Source Resistance
0.9 Ω
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
30 W
тип монтажа
Through Hole
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
TO-220SIS
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
380 pF@ 300 V
Typical Turn-Off Delay Time
50 ns
Typical Turn-On Delay Time
40 ns
ширина
4.5mm
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V

Дополнительная информация

TK5A60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)