TP0610K-T1-GE3, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 5 шт. —
66 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
МОП-транзистор -60V Vds 20V Vgs SOT-23
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Process Technology | TrenchFET |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.185 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6000@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1.7@15V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 23@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | SOT-23 |
Standard Package Name | SOT-23 |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 1.02(Max) |
Package Length | 3.04(Max) |
Package Width | 1.4(Max) |
PCB changed | 3 |
Lead Shape | Gull-wing |
Вес, г | 0.109 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 211 КБ
Datasheet TP0610K-T1-GE3
pdf, 211 КБ
Datasheet TP0610K-T1-GE3
pdf, 212 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов