TPH11006NL,LQ(S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26335 шт., срок 7-9 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
Добавить в корзину 21 шт.
на сумму 2 730 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 17 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 34 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOP |
| Pin Count | 8 |
| Series | U-MOSVIII-H |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Width | 5mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
