TPSTD10P6F6, Транзистор P-MOSFET 60В 13А 60Вт [D-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 шт. со склада г.Москва
80 руб.
от 15 шт. —
72 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 80 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 13 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/12А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 | |
Крутизна характеристики, S | 10 | |
Корпус | TO-252 | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet TPSTD10P6F6
pdf, 3495 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.