UMG9NTR, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2990 шт., срок 7 недель
22 руб.
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
14 руб.
от 300 шт. —
11 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 220 руб.
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 150 mW |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Другие названия товара №: | UMG9N |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 30 |
| Конфигурация: | Dual Common Emitter |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Непрерывный коллекторный ток: | 50 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора: | 100 mA |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | NPN |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Серия: | UMG9N |
| Тип продукта: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление: | 10 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора: | 1 |
| Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок: | UMT-5 |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet UMG9NTR
pdf, 1459 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
