V30200C-E3/4W, Diode Schottky 200V 30A

PartNumber: V30200C-E3/4W
Ном. номер: 8027318084
Производитель: Vishay
V30200C-E3/4W, Diode Schottky 200V 30A
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
200 × = 1 000
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 100 шт. — 110 руб.
от 250 шт. — 101.36 руб.

Описание

TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, 30A to 80A, Vishay Semiconductor
The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.

Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor

Полупроводники / Дискретные компоненты / Выпрямительные диоды и диоды Шоттки /
Diode Schottky 200V 30A

Технические параметры

Размеры
10.54 x 4.7 x 15.32мм
Тип диода
Schottky
Максимальный непрерывный прямой ток
30A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Количество элементов на ИС
2
Тип корпуса
TO-220AB
Пиковое прямое напряжение
1.1V
Пиковый обратный ток
12mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
200V
Число контактов
3
Ширина
4.7mm
Diode Configuration
Common Cathode
Высота
15.32mm
Длина
10.54mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

V30200C, VF30200C, VB30200C, VI30200C ...