VND7NV04-E, МОП-транзистор, N Канал, 3.5 А, 55 В, 60 мОм, 5 В, 2.5 В

PartNumber: VND7NV04-E
Ном. номер: 8081713219
Производитель: ST Microelectronics
VND7NV04-E, МОП-транзистор, N Канал, 3.5 А ...
Доступно на заказ 264 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
360 × = 360
от 10 шт. — 275 руб.
от 100 шт. — 222 руб.

Описание

The VND7NV04-E is a 55V Fully Auto Protected Power MOSFET made using VIPower™ M0 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short-circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
• Compatible with standard power MOSFET

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1739415

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
3.5А
Напряжение Истока-стока Vds
55В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.06Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
2.5В
Рассеиваемая Мощность
60Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов

Дополнительная информация

Datasheet VND7NV04-E