VNS1NV04DPTR-E, МОП-транзистор, N Канал, 1.7 А, 45 В, 0.25 Ом, 5 В, 500 мВ

PartNumber: VNS1NV04DPTR-E
Ном. номер: 8049165275
Производитель: ST Microelectronics
VNS1NV04DPTR-E, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 1476 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
180 × = 180
от 25 шт. — 157 руб.
от 100 шт. — 124 руб.

Описание

The VNS1NV04DPTR-E is a 40V Fully Auto Protected Power MOSFET formed by two monolithic OMNIFET II chips. The OMNIFET II is designed in VIPower™ M0-3 technology intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short-circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the power MOSFET (analogue driving)
• Compatible with standard power MOSFET

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2341721

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
1.7А
Напряжение Истока-стока Vds
45В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.25Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
500мВ
Рассеиваемая Мощность
4Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Количество Выводов
8вывод(-ов)

Дополнительная информация

Datasheet VNS1NV04DPTR-E