ZVN4210GTA, МОП-транзистор, режим обогащения, N Канал, 800 мА, 100 В, 1.5 Ом, 10 В, 800 мВ

PartNumber: ZVN4210GTA
Ном. номер: 8088764674
Производитель: Diodes Incorporated
ZVN4210GTA, МОП-транзистор, режим обогащения ...
Доступно на заказ 92 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
47 × = 47
от 25 шт. — 44 руб.

Описание

The ZVN4210GTA is a N-channel enhancement-mode Vertical DMOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over copper lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard.

• Halogen-free, Green device
• Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
• Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
• UL94V-0 Flammability rating

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2061499

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
800мА
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
1.5Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
800мВ
Рассеиваемая Мощность
2Вт
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Количество Выводов
4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet ZVN4210GTA