ZXMN10A25GTA, MOSFET N-Channel 100V 4A

PartNumber: ZXMN10A25GTA
Ном. номер: 8023336375
Производитель: DiodesZetex
ZXMN10A25GTA, MOSFET N-Channel 100V 4A
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
110 × = 550
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.

Описание

N-Channel MOSFET, 100V to 650V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Diodes Inc ZXMN10A25GTA N-channel MOSFET Transistor, 4 A, 100 V, 3 + Tab-Pin SOT-223

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Конфигурация
Двойной дренаж, одиночный
Тип канала
N
Номер канала
Поднятие
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8
Длина
6.7mm
Максимальное напряжение сток-исток
100 V
Тип корпуса
SOT-223
Максимальный непрерывный ток стока
4 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
1.8mm
Максимальное сопротивление сток-исток
0.125 Ω
Максимальное рассеяние мощности
3.9 Вт
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Типичное время задержки выключения
18 ns
Типичная входная емкость при Vds
859 pF@ 50 V
Типичный заряд затвора при Vgs
17 нКл при -10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип монтажа
Surface Mount
Типичное время задержки включения
4.9 нс
Материал транзистора
Si
Количество элементов на ИС
1
Ширина
3.7mm
Число контактов
3 + 1 (Tab)

Дополнительная информация

MOSFET N-ch 4A 100V SOT223