ZXMN10B08E6TA, MOSFET N-Channel 100V 1.9

PartNumber: ZXMN10B08E6TA
Ном. номер: 8049943096
Производитель: DiodesZetex
ZXMN10B08E6TA, MOSFET N-Channel 100V 1.9
Доступно на заказ 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
79 × = 790
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

N-Channel MOSFET, 1A to 5A, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Полупроводники / Дискретные компоненты / МОП-транзисторы (MOSFETs) /
Diodes Inc ZXMN10B08E6TA N-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 100 V, 6-pin SOT-23

Технические параметры

разрешение
Power MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
конфигурация
Quad Drain, Single
размеры
3.1 x 1.8 x 1.3mm
высота
1.3mm
длина
3.1mm
Maximum Continuous Drain Current
1.9 A
Maximum Drain Source Resistance
0.23 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рассеиваемая мощность
1.7 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
тип монтажа
Surface Mount
Number of Elements per Chip
1
тип упаковки
SOT-23
Pin Count
6
Typical Gate Charge @ Vgs
5 nC@ 5 V, 9.2 nC@ 10 V
Typical Input Capacitance @ Vds
497 pF@ 50 V
Typical Turn-Off Delay Time
12.1 ns
Typical Turn-On Delay Time
2.9 ns
ширина
1.8mm
Maximum Gate Threshold Voltage
3V

Дополнительная информация

SOT23-6, NMOS, 1.9A, 100V, ZXMN10B08E6TA