IRG4PC50UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 740 руб.

от 2 шт. — 2 580 руб.

от 3 шт. — 2 480 руб.

от 5 шт. — 2 350 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 740 руб.

Номенклатурный номер: 8827164983

Артикул: IRG4PC50UPBF

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 55 А, 200 Вт

Корпус	TO-247AC
Brand	Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	2 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current at 25 C	55 A
Continuous Collector Current Ic Max	27 A
Factory Pack Quantity	25
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Height	20.7 mm(Max)
Length	15.87 mm(Max)
Manufacturer	Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	200 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Technology	Si
Unit Weight	1.340411 oz
Width	5.31 mm(Max)
Вес, г	7.5

pdf, 147 КБ

Мы рекомендуем