MJH6284G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
990 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 990 руб.
Описание
Микросхемы
Примечание: !
Описание Транзистор биполярный MJH6284G от ONSEMI представляет собой высокомощный NPN Дарлингтоновский транзистор в надежном корпусе TO247, предназначенный для монтажа THT. Он способен управлять током коллектора до 20А и поддерживает напряжение коллектор-эмиттер до 100В, что делает его отличным выбором для мощных применений. Данная модель обладает мощностью 160Вт, обеспечивая высокую производительность и долговечность в широком спектре электронных схем. Используйте MJH6284G для надежной работы ваших устройств. ХарактеристикиКатегория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN, Дарлингтон |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 20 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 100 |
Мощность, Вт | 160 |
Корпус | TO247 |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 20 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 100, 750 |
DC Current Gain hFE Max | 18000 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 30 |
Height | 12.2 mm |
Length | 15.2 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Collector Cut-off Current | 1000 uA |
Maximum DC Collector Current | 20 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 160 W |
Product Category | Darlington Transistors |
RoHS | Details |
Series | MJH6284 |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.229281 oz |
Width | 4.9 mm |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 4 V |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 3 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Power Dissipation | 160 W |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 4.082 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов