SIS412DN-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 30В 12А 15.6Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 руб.
Мин. кол-во для заказа 16 шт.
от 83 шт. —
24 руб.
от 166 шт. —
22 руб.
Добавить в корзину 16 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 30В 12А 15.6Вт
Технические параметры
| Корпус | PowerPAKВR 1212-8 | |
| Id - непрерывный ток утечки: | 12 A | |
| Pd - рассеивание мощности: | 10 W | |
| Qg - заряд затвора: | 8 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 24 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 30 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 10 V, + 10 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1 V | |
| Вид монтажа: | SMD/SMT | |
| Время нарастания: | 10 ns, 12 ns | |
| Время спада: | 10 ns | |
| Другие названия товара №: | SIS412DN-GE3 | |
| Канальный режим: | Enhancement | |
| Категория продукта: | МОП-транзистор | |
| Количество каналов: | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение: | TrenchFET, PowerPAK | |
| Конфигурация: | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 17 S | |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C | |
| Подкатегория: | MOSFETs | |
| Полярность транзистора: | N-Channel | |
| Производитель: | Vishay | |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 | |
| Серия: | SIS | |
| Технология: | Si | |
| Тип продукта: | MOSFET | |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения: | 13 ns, 15 ns | |
| Типичное время задержки при включении: | 5 ns, 15 ns | |
| Торговая марка: | Vishay Semiconductors | |
| Упаковка / блок: | PowerPAK-1212-8 | |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 12A | |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 3.2W | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 24mО© @ 7.8A,10V | |
| Transistor Polarity | N Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V @ 250uA | |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
