SI2312BDS-T1-E3, Транзистор полевой N-канальный 20В 3.9A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
64 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 40 шт. —
52 руб.
от 79 шт. —
48 руб.
от 157 шт. —
45 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 512 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 20В 3.9A
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W | |
| Qg - заряд затвора | 12 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 30 ns | |
| Время спада | 10 ns | |
| Высота | 1.45 mm | |
| Длина | 2.9 mm | |
| Другие названия товара № | SI2312BDS-E3 | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 30 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Серия | SI2 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns | |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns | |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
| Ширина | 1.6 mm | |
| Automotive | No | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Configuration | Single | |
| ECCN (US) | EAR99 | |
| EU RoHS | Compliant | |
| Lead Shape | Gull-wing | |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.9 | |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 5 | |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 | |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 31 4.5V | |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 | |
| Maximum Gate Resistance (Ohm) | 3.3 | |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 | |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 | |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.85 | |
| Maximum IDSS (uA) | 1 | |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 166 | |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 8 | |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 | |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 1.25 | |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 15 | |
| Minimum Gate Resistance (Ohm) | 1.1 | |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 0.45 | |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
| Mounting | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 | |
| Packaging | Tape and Reel | |
| Part Status | NRND | |
| PCB changed | 3 | |
| Pin Count | 3 | |
| PPAP | No | |
| Process Technology | TrenchFET | |
| Product Category | Power MOSFET | |
| Standard Package Name | SOT | |
| Supplier Package | SOT-23 | |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.8 | |
| Typical Fall Time (ns) | 10 | |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 7.5 4.5V | |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 1.4 | |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 1.2 | |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 1.4 | |
| Typical Output Capacitance (pF) | 100 | |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 13 | |
| Typical Rise Time (ns) | 30 | |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35 | |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 218 КБ
Datasheet SI2312BDS-T1-E3
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
