BD442G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А, 36Вт

Фото 1/4 BD442G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А, 36Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 22 шт.99 руб.
от 43 шт.91 руб.
от 85 шт.87 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 520 руб.
Номенклатурный номер: 8000549021
Артикул: BD442G

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А, 36Вт

Технические параметры

Корпус to-126
Pd - рассеивание мощности 36 W
Вид монтажа Through Hole
Высота 11.04 mm
Длина 7.74 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 15
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 4 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 3 MHz
Размер фабричной упаковки 500
Серия BD442
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-225-3
Ширина 2.66 mm
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 78 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов