SI9945BDY-T1-GE3, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

140 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 20 шт. — 120 руб.

от 40 шт. — 102 руб.

от 79 шт. — 97 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 560 руб.

Номенклатурный номер: 8000677349

Артикул: SI9945BDY-T1-GE3

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 5.3 А

Корпус	so-8
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	5.3 A
Maximum Drain Source Resistance	72 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	3.1 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	SOIC
Pin Count	8
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	13 nC @ 10 V
Width	4mm
Вес, г	0.25