RMB2S-E3/45, Диодный мост 0.5А 200В

Фото 1/2 RMB2S-E3/45, Диодный мост 0.5А 200В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
55 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 27 шт.48 руб.
от 53 шт.46 руб.
Добавить в корзину 9 шт. на сумму 495 руб.
Номенклатурный номер: 8000826725
Артикул: RMB2S-E3/45

Описание

Диоды и тиристоры / Диодные мосты / Выпрямительные мосты
Диодный мост 0.5А 200В

Технические параметры

Корпус MB-S
Base Product Number RMB2 ->
Current - Average Rectified (Io) 500mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 5ВµA @ 200V
Diode Type Standard
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0070
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-269AA, 4-BESOP
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-269AA (MBS)
Technology Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 400mA
Voltage - Peak Reverse (Max) 200V
Bridge Type Single Phase
Configuration Single
Maximum Operating Temperature +150 °C
Minimum Operating Temperature -55 °C
Package Type TO-269AA
Peak Average Forward Current 800mA
Peak Forward Voltage 1.25V
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current 30A
Peak Reverse Current 5µA
Peak Reverse Repetitive Voltage 200V
Pin Count 4
Width 4.1mm
Diode Technology Silicon Junction
Вес, г 0.275

Техническая документация

Datasheet
pdf, 100 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 89 КБ
Datasheet
pdf, 90 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Диодные мосты»
Типы корпусов импортных диодов