SI2305CDS-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

19 руб.

Мин. кол-во для заказа 25 шт.

от 130 шт. — 15 руб.

от 259 шт. — 13 руб.

от 518 шт. — 12 руб.

Добавить в корзину 25 шт. на сумму 475 руб.

Номенклатурный номер: 8000828141

Артикул: SI2305CDS-T1-GE3

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой P-канальный 8В 5.8А 0.96Вт

Корпус	sot-23
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	4.4 A
Maximum Drain Source Resistance	35 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	8 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	960 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.4V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	12 nC @ 4.5 V, 20 nC @ 8 V
Width	1.4mm
Вес, г	0.04