LET9045, Trans RF MOSFET N-CH 80V 9A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
22 шт., срок 5-7 недель
8 780 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 35 120 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\RF MOSFETs
Trans RF FET N-CH 65V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Формованный вывод) Трубка
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 5 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 65 |
Maximum Frequency (MHz) | 1000 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | 15 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 165 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 79000 |
Maximum VSWR | 10(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Output Power (W) | 59(Typ) |
Packaging | Tube |
Part Status | Obsolete |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | LDMOS |
Standard Package Name | PowerSO-10RF(Formed lead) |
Supplier Package | PowerSO-10RF(Formed lead) |
Typical Drain Efficiency (%) | 65 |
Typical Forward Transconductance (S) | 2.5(Min) |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 59 28V |
Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 28 28V |
Typical Power Gain (dB) | 17.5 |
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 0.8 28V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet LET9045
pdf, 204 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары