2N7002-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
36 руб.
Мин. кол-во для заказа 890 шт.
от 1000 шт. —
22 руб.
Добавить в корзину 890 шт.
на сумму 32 040 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,08Вт; D2PAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.115 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7500@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | NRND |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 22@25V |
Case | SOT23 |
Drain current | 0.115A |
Drain-source voltage | 60V |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | VISHAY |
On-state resistance | 13.5Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 80mW |
Pulsed drain current | 0.8A |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов