BSC025N03MSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Кратность заказа 5000 шт.
Добавить в корзину 5000 шт.
на сумму 700 000 руб.
Описание
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 100A, PG-TSDSON, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:100A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):2.1mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 100 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2.5@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | OptiMOS |
| Standard Package Name | SON |
| Supplier Package | TDSON EP |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 74 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 36@4.5VI74@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 5700@15V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1060 КБ
Документация
pdf, 542 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
