BSC020N03LSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

BSC020N03LSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 170 шт.
Добавить в корзину 170 шт. на сумму 32 300 руб.
Номенклатурный номер: 8001293037
Артикул: BSC020N03LSGATMA1

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin TDSON EP T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape No Lead
Maximum Continuous Drain Current (A) 28
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 2 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2.2
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2500
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 8
Pin Count 8
PPAP No
Process Technology OptiMOS
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SON
Supplier Package TDSON EP
Typical Fall Time (ns) 7
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 70
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 70 10V|34 4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 5400 15V
Typical Rise Time (ns) 7
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 42
Typical Turn-On Delay Time (ns) 11
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1051 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов