BSC016N03LSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin TDSON EP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Кратность заказа 5000 шт.
Добавить в корзину 5000 шт.
на сумму 800 000 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой N-MOSFET BSC016N03LSGATMA1 от INFINEON представляет собой высокопроизводительный компонент для SMD монтажа. С током стока в 100 А и напряжением сток-исток 30 В, этот транзистор способен обеспечить мощность до 125 Вт. Его исключительно низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,0016 Ом, гарантирует высокую эффективность в электронных схемах. Упакованный в компактный корпус PG-TDSON-8, BSC016N03LSGATMA1 идеально подходит для широкого спектра областей применения, включая силовую электронику, управление двигателями и защиту нагрузки. Продукт код BSC016N03LSGATMA1 объединяет в себе передовые технологии INFINEON для обеспечения надежности и высокой производительности. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 100 |
| Напряжение сток-исток, В | 30 |
| Мощность, Вт | 125 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0016 |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Qg - заряд затвора | 131 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.3 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 8.6 ns |
| Время спада | 8.6 ns |
| Высота | 1.27 mm |
| Длина | 5.9 mm |
| Другие названия товара № | BSC016N03LS BSC16N3LSGXT G SP000237663 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 5000 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 51 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Ширина | 5.15 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet BSC016N03LSGATMA1
pdf, 385 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
