Реклама
Рекламодатель: АО «ЧИП и ДИП»
erid: LjN8KJZnZ

BSZ100N03MSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

BSZ100N03MSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
72 руб.
Кратность заказа 5000 шт.
Добавить в корзину 5000 шт. на сумму 360 000 руб.
Номенклатурный номер: 8001293864
Артикул: BSZ100N03MSGATMA1

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape No Lead
Maximum Continuous Drain Current (A) 10
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 9.1@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 30
Maximum Gate Source Voltage (V) ±16
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2100
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 8
Pin Count 8
PPAP No
Process Technology OptiMOS
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SON
Supplier Package TSDSON EP
Typical Fall Time (ns) 2.4
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 17
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 8.3@4.5V|17@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1300@15V
Typical Rise Time (ns) 2.8
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 16
Typical Turn-On Delay Time (ns) 3.8

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Стабилизаторы напряжения и тока»
Типы корпусов импортных микросхем