BSZ100N03MSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
72 руб.
Кратность заказа 5000 шт.
Добавить в корзину 5000 шт.
на сумму 360 000 руб.
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON EP T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | No Lead |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9.1@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±16 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2100 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 8 |
Pin Count | 8 |
PPAP | No |
Process Technology | OptiMOS |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SON |
Supplier Package | TSDSON EP |
Typical Fall Time (ns) | 2.4 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 17 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.3@4.5V|17@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1300@15V |
Typical Rise Time (ns) | 2.8 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1977 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Стабилизаторы напряжения и тока»
Типы корпусов импортных микросхем
Похожие товары