Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › BC847AWT1G, Транзистор: NPN

BC847AWT1G, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

14 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 14 руб.

Номенклатурный номер: 8024434766

Артикул: BC847AWT1G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Описание Транзистор: NPN

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.85 mm
Длина	2.1 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	90
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BC847AW
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SC-70-3
Ширина	1.24 mm
Maximum Collector Base Voltage	50 V
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	150 mW
Minimum DC Current Gain	110
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-323(SC-70)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.0062