APT1003RSLLG, Trans MOSFET N-CH 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 560 руб.
Мин. кол-во для заказа 13 шт.
Добавить в корзину 13 шт.
на сумму 33 280 руб.
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 1000 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 4 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3000@10V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 34@10V |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 34 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 694@25V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 139000 |
Typical Fall Time (ns) | 10 |
Typical Rise Time (ns) | 4 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 25 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tube |
Automotive | No |
Supplier Package | D3PAK |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-268 |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 5.08(Max) |
Package Length | 16.05(Max) |
Package Width | 13.99(Max) |
PCB changed | 2 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Gull-wing |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 101 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов