CSD23201W10, транзистор 4DSBGA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
64 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 64 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.2 | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 | |
Корпус | DSBGA-4 | |
Крутизна характеристики S,А/В | 9 | |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -0.6 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 82 | |
Температура, С | -55…+150 | |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов