BC846S.115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 руб.
Мин. кол-во для заказа 677 шт.
от 1600 шт. —
4.40 руб.
от 6000 шт. —
3.83 руб.
Добавить в корзину 677 шт.
на сумму 4 062 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
Описание Транзистор NPN, биполярный, 65В, 100мА, 300мВт, SOT363
Технические параметры
Корпус | TSSOP6 | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 1 mm | |
Длина | 2.2 mm | |
Другие названия товара № | BC846S T/R | |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT | |
Конфигурация | Dual | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A | |
Минимальная рабочая температура | 65 C | |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V | |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V | |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V | |
Подкатегория | Transistors | |
Полярность транзистора | NPN | |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz | |
Размер фабричной упаковки | 3000 | |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors | |
Торговая марка | Nexperia | |
Упаковка / блок | SOT-363-6 | |
Ширина | 1.35 mm | |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 65V | |
Maximum DC Collector Current | 100mA | |
Pd - Power Dissipation | 300mW | |
Transistor Type | 2 NPNпј€Doubleпј‰ | |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 65 V | |
Maximum Emitter Base Voltage | 65 V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
Minimum DC Current Gain | 110 | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 2 | |
Package Type | SOT-363(SC-88) | |
Pin Count | 6 | |
Transistor Configuration | Isolated | |
Вес, г | 0.046 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов