BSS84AKS,115, Сдвоенный Транзистор полевой P-канальный 50V 0.16A 0,445Вт

Фото 1/2 BSS84AKS,115, Сдвоенный Транзистор полевой P-канальный 50V 0.16A 0,445Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1324 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
21 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
от 114 шт.16 руб.
от 228 шт.15 руб.
от 455 шт.13 руб.
Добавить в корзину 23 шт. на сумму 483 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8001804942
Артикул: BSS84AKS,115
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Сдвоенный Транзистор полевой P-канальный 50V 0.16A 0,445Вт

Технические параметры

Корпус TSSOP6
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Maximum Continuous Drain Current 160 mA
Maximum Drain Source Resistance 7.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage 50 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 2.1V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 320 mW
Minimum Gate Threshold Voltage 1.1V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-363
Pin Count 6
Transistor Configuration Isolated
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 0.26 nC @ 5 V
Width 1.35mm
Transistor Polarity Dual P Channel; Continuous Drain Current Id
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 866 КБ
Datasheet BSS84AKS,115
pdf, 1431 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.