BSS84AKS,115, Сдвоенный Транзистор полевой P-канальный 50V 0.16A 0,445Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1324 шт. со склада г.Москва, срок 8-11 дней
21 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
от 114 шт. —
16 руб.
от 228 шт. —
15 руб.
от 455 шт. —
13 руб.
Добавить в корзину 23 шт.
на сумму 483 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Сдвоенный Транзистор полевой P-канальный 50V 0.16A 0,445Вт
Технические параметры
Корпус | TSSOP6 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Maximum Continuous Drain Current | 160 mA | |
Maximum Drain Source Resistance | 7.5 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 50 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 320 mW | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 2 | |
Package Type | SOT-363 | |
Pin Count | 6 | |
Transistor Configuration | Isolated | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.26 nC @ 5 V | |
Width | 1.35mm | |
Transistor Polarity | Dual P Channel; Continuous Drain Current Id | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары