Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFP22N50A, МОП транзистор (восстановленный)

IRFP22N50A, МОП транзистор (восстановленный)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

240 руб.

от 50 шт. — 120 руб.

от 100 шт. — 113 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 240 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8001851307

Артикул: IRFP22N50A

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IRFP22N50APBF производства компании VISHAY – это высокомощный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в отверстия (THT). С током стока до 22 А и напряжением сток-исток в 500 В, этот транзистор способен обеспечивать мощность до 277 Вт. Его низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,23 Ом позволяет эффективно управлять высокими токами, минимизируя потери мощности. Всё это размещено в надежном корпусе TO247AC, который обеспечивает удобную интеграцию в различные электронные устройства. Приобретая IRFP22N50APBF, вы получаете качественный и долговечный компонент для вашего проекта. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	22
Напряжение сток-исток, В	500
Мощность, Вт	277
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.23
Корпус	TO247AC

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	22 A
Pd - рассеивание мощности	277 W
Qg - заряд затвора	120 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	230 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	500
Серия	IRFP
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	22A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3450pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	277W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	230mOhm @ 13A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	TO-247-3
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	22 A
Maximum Drain Source Resistance	230 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	277 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-247AC
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	120 nC @ 10 V
Width	5.31mm
Вес, г	7.17